宿根天人菊种植方法和栽培技术指南

宿根天人菊栽培指南

拉丁名：Gaillardiaxgrandiflora

分类：菊科天人菊属

原产地：北美

种子类型：普通种子（每克三四百粒）

栽培条件：全日照

植物学特性：多年生草本，全株被粗节毛，茎有分枝。基生叶和下部茎叶全缘或羽状缺裂，两面被尖状柔毛，叶有长叶柄，中部茎叶基部无柄。头状花序单生枝顶，有长梗、苞片，总苞片披针形，外面有腺点及密柔毛。舌状花单轮或多轮，管状花外面有腺点，顶端芒状渐尖。瘦果，被毛。花期7月至9月。

生态习性：性喜温暖、干燥和阳光充足的环境，也耐半阴，要求土壤疏松、排水良好。

用途：花坛、盆栽、切花。

推荐品种：

1.‘亚利桑那阳光’，株高约30厘米，无需春化处理，在温暖且阳光充足的环境下生长旺盛。花亮红色镶亮黄色边，花径约10厘米，比其他天人菊花期更早，且一直持续到秋天。AAS和FS得奖品种。花园表现显着，株形整齐。

2.‘夏艳’，株高约35厘米，花瓣红色滚黄边，株形紧密呈丛生状。

3.‘火炬之光’，株高约75厘米，艳丽的深红色花，边缘为黄色。大花，花径10厘米，可作切花。

穴盘育苗

阶段一：胚根萌发阶段从胚根穿破种皮开始，幼根接触到土壤，到长出子叶为第一阶段。温度为21℃至24℃时，10天至14天可出芽。基质中保持较低的EC值，pH值5.5至5.8。种子萌芽需光，无需覆盖。保持土壤轻微湿润，但不可过于潮湿。播种后避免阳光直射，应进行适当遮阴。田间栽培需覆盖透明的薄膜以防过度干燥。

阶段二：子叶出现及生长阶段从长出子叶开始，到长出真叶为第二阶段。温度降低至18℃至20℃。适当降低栽培介质的湿度，但仍不可过于干燥。此阶段根系对高浓度可溶性盐特别敏感，EC值不可高于0.5。子叶展开后可开始喷施肥料，以50ppm的完全平衡氮肥为宜。

阶段三：真叶生长和发育阶段从长出真叶开始，到有80％的种苗可以出售为第三阶段。空气湿度需逐渐降低，两次浇水间可让基质有一个干透的过程，从而形成干湿循环，促进根系发育。此阶段施肥浓度可增至150ppm。

阶段四：炼苗阶段此阶段根系已形成完好，种苗基本上可以出售，且通过炼苗而变得耐寒，这个阶段持续7天左右。温度、湿度、施肥浓度基本和第三阶段相同。应注意及时移栽上盆。

栽培管理

1.移栽上盆　‘亚利桑那阳光’萌芽后三四个星期后用10厘米至15厘米的花盆或3升至5升的容器进行移植。‘夏艳’萌芽后三四个星期可用8厘米至10 厘米的花盆进行移植，或将两三株幼苗移植到11厘米至15厘米的花盆或者3升至5升的容器中。切花用的植株间距以30厘米×30厘米至35厘米×35厘米为宜，且需用网状物保持茎秆直立。夜晚需避免幼苗受冻。

2.基质　采用疏松、排水透气性良好的栽培基质为佳。基质中黏土含量不高于15％，可加入低于15％的树皮、珍珠岩、沙粒,。每立方米基质中施加1千克至3千克的完全平衡肥料，缓释肥不高于3千克。要求基质中含有铁螯合物和微量营养元素， pH值为5.5至5.8。田间栽培需肥沃排水性良好的砂质壤土。施肥标准为每平方米施用50克至80克的缓释肥。

3.光照　植株开花需12小时至16小时的长日照。进行春化作用的前几个星期需短日照，直到叶片发育良好为止。花期生长阶段需14小时至16小时的长日照，且光照强度达到二三万勒克斯。夜间无需补光，冬季需补光。强光照和温暖的气候条件可提高植株的品质，光照不足会抑制植株生长。

4.温度　生长适温为12℃至20℃。户外栽培需覆盖。越冬栽培时根系要求发育良好，同时植株应至少保留16片以上叶片。‘夏艳’和‘火炬之光’开花需进行10至15周的春化处理。春季，植株开始在18℃至20℃的日温、16℃至18℃的夜温条件下生长七八周。在12℃至15℃的冷凉气温下，栽培时间将延长，但可提高株形的紧凑性。

5.肥料　天人菊为喜肥植物。每周施用130ppm至150ppm的完全平衡氮肥。避免含氮量过高，因为高氮水平会导致茎秆倒伏。9月中旬后不要施肥。春季开始喷施130ppm至150ppm的氮钾平衡肥，N：K2O比例为1：1.5。为了防止镁和铁缺乏，可喷施一两次浓度为0.05%的硫化镁及铁螯合物。田间栽培可以在某些位置施用缓释肥，每平方米施用50克至80克的缓释肥，可提高土壤质量。

6.切花当茎秆强健及有两三朵花苞开放时，即可采收切花。瓶插周期8天至10天。

另外，宿根天人菊生长期间无需打顶。切花品种喜排水良好、温暖且阳光充足的环境，但不耐风吹。